“低压MOS管”参数说明
结构形式: | NPN | 结构工艺: | 平面管 |
安装方式: | 贴片 | 材料: | 硅管 |
封装形式: | 塑料封装 | 工作状态: | 截止 |
“低压MOS管”详细介绍
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
Id时的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W
漏极至源极电压(Vdss):30V
Id时的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W